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吕氏贵宾会:硅化钴 CoSi2 

发布时间:2020/07/17
硅化钴  CoSi2

硅化钴质保书.png

硅化钴xrd 水印.png



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分线界-相关数据.jpg

二硅化钴
化学式CoSi2。分子量115.11。深褐色斜方系晶体。熔点1277℃,

相对密度5.3。在1200℃下可被氧化,侵蚀其表面;与氟在低温下反应;
与氯在300℃反应。被氟化氢,稀、浓硝酸及硫酸侵蚀,也能被熔融的

强碱剧烈侵蚀。与沸热的浓盐酸缓慢作用。CoSi2具有低电阻率,

良好的热稳定性,目前在大规模集成电路中作为接触得到广泛使用。

并且CoSi2有和Si相似的晶体结构,因此可以再Si衬底上形成外延

CoSi2/Si结构,用来研究外延金属硅的界面特性。硅化物纳米结构在

纳米电子学的一系列领域还有着潜在的重要应用:半导体硅化物纳米

结构(FeSi2)可以用来制备纳米电子有源器件,在硅基纳米发光器件

中可能有十分重要的应用;金属性硅化物(CoSi2, NiSi2)可以再未来

的量子计算机、容错太赫兹纳米电路计算机中用作纳米导线,由于可以

在硅衬底上制备外延硅化物导线,它们的性能因为没有晶粒间界将会比

普通的金属纳米线大大提高;金属性纳米机构也可以在分子电子学中作为

一个分子或几个分子的纳米电极。
在半导体组件的工艺中,多在内部电连接点例如栅极、源极或漏极上,

形成低阻值的二硅化钴(CoSi2)层。一般而言,二硅化钴的制造方法是先

将金属钴(Co)层形成于一含硅的衬底上,再经过两次的退火处理

(annealingtreatment)将钴转变成二硅化钴。其中,第一次的退火处理

是先令钴扩散到含硅的衬底内,以形成一硅化钴(CoSi)层。第二次的退火

处理则是将硅化钴层转变成低阻值的二硅化钴,藉以降低组件的电阻值。



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